Intel foundry revoluciona la fabricación de chips con High NA EUV
Novedades: Intel Foundry ha alcanzado un hito crucial en la fabricación avanzada de semiconductores con la finalización del ensamblaje del primer escáner de litografía High NA EUV comercial de la industria. Este innovador equipo, el TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV, desarrollado por ASML, se encuentra en el centro de I+D de Intel en Hillsboro, Oregón, y actualmente está en fase de calibración para preparar la producción de futuros procesos.
Importancia: Las herramientas High NA EUV son fundamentales para el desarrollo de chips avanzados, permitiendo a Intel Foundry mantener su liderazgo en tecnología de semiconductores. Este avance permitirá a Intel fabricar chips con una precisión y escalabilidad sin precedentes, esenciales para impulsar tecnologías emergentes como la inteligencia artificial.
Logros Recientes: ASML ha logrado imprimir líneas densas de 10 nanómetros en su laboratorio High NA en Veldhoven, Países Bajos, estableciendo un récord mundial en resolución para un escáner de litografía EUV. Esta capacidad de imprimir líneas densas de 10 nm valida el diseño óptico innovador de High NA EUV y representa un paso crucial hacia la producción comercial.
Funcionamiento: Combinado con otras tecnologías de proceso líderes de Intel Foundry, High NA EUV permite imprimir características hasta 1.7 veces más pequeñas que las herramientas EUV actuales, resultando en una densidad de hasta 2.9 veces mayor. Esto es posible gracias a la mejora en el contraste de imagen y la reducción del tiempo de exposición.
Planes Futuros: Intel utilizará tanto EUV de 0.33 NA como EUV de 0.55 NA para el desarrollo y fabricación de chips avanzados, iniciando con pruebas de productos en Intel 18A en 2025 y continuando con la producción de Intel 14A. Esta estrategia optimiza la tecnología avanzada de procesos en términos de costo y desempeño.
Colaboración Continua: Durante décadas, Intel ha trabajado junto a ASML para impulsar la evolución de la litografía, desde la inmersión de 193 nm hasta EUV, y ahora High NA EUV. La adopción de esta tecnología sitúa a Intel a la vanguardia del escalado de la Ley de Moore.
Detalles del Transporte: El sistema TWINSCAN EXE:5000 fue transportado a Oregon en más de 250 cajas dentro de 43 contenedores de carga, que fueron trasladados en 20 camiones desde Seattle a Oregon. El peso total del sistema supera las 150 toneladas.
Expansión de I+D en Oregon: Para albergar la última generación de herramientas de litografía, Intel abrió Mod 3 en 2022, una expansión de su fábrica D1X en Oregon con una inversión de más de $3 mil millones, añadiendo más de 25,000 metros cuadrados de espacio para salas limpias.
Intel lidera con High NA EUV, marcando un nuevo hito en la fabricación de semiconductores.